IRFB3307PBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB3307PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 250Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 0,12мкКл
Опір в стані провідності 6,3мОм
Потужність розсіювання 250Вт
Струм стока 130А
Напруга сток-джерело 75В
Технологія HEXFET®
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat