IRFB3207ZPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB3207ZPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 300Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія HEXFET®
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 0,12мкКл
Опір в стані провідності 4,1мОм
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 300Вт
Напруга сток-джерело 75В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat