IRFB3207ZPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB3207ZPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 300Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 75В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,1мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 0,12мкКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat