IRFB3206GPBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB3206GPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; 300Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Корпус TO220AB
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 0,12мкКл
Опір в стані провідності 3мОм
Струм стока 150А
Потужність розсіювання 300Вт
Напруга сток-джерело 60В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat