IRF9530NPBF - Транзистори з каналом P THT

IRF9530NPBF
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Корпус TO220AB
Технологія HEXFET®
Тип транзистора P-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -14А
Заряд затвора 38,7нКл
Опір в стані провідності 0,2Ом
Потужність розсіювання 79Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat