IRF8010PBF - Транзистори з каналом N THT

IRF8010PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 260Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 260Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 15мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 81нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat