IRF7309TRPBF - Транзистори багатоканальні

IRF7309TRPBF
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N/P-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30/-30В
Струм стока 4/-3А
Потужність розсіювання 1,4Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 50/100мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat