IRF7105TRPBF - Транзистори багатоканальні

IRF7105TRPBF
Опис

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N/P-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 25/-25В
Струм стока 3,5/-2,3А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,1/0,25Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat