IRF640SPBF - Транзистори з каналом N SMD

IRF640SPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 11А
Струм стоку в імпульсі 72А
Потужність розсіювання 130Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,18Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 70нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat