IRF540PBF - Транзистори з каналом N THT

IRF540PBF
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 20А
Струм стоку в імпульсі 110А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 77мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 72нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat