IRF40R207 - Транзистори з каналом N SMD

IRF40R207
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 64А; 83Вт; DPAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 64А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5,1мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 45нКл
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat