IRF1104PBF - Транзистори з каналом N THT

IRF1104PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 170Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40В
Струм стока 100А
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 9мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 62нКл
Потужність розсіювання 170Вт
Технологія HEXFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat