IRF1010NSTRLPBF - Транзистори з каналом N SMD

IRF1010NSTRLPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 55В
Струм стока 60А
Потужність розсіювання 180Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,12мкКл
Вид упаковки ролик
Вид каналу збагачений
Технологія HEXFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat