IRF100B202 - Транзистори з каналом N THT

IRF100B202
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 68А; 221Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Технологія HEXFET®
Корпус TO220AB
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 77нКл
Опір в стані провідності 8,6мОм
Струм стока 68А
Потужність розсіювання 221Вт
Напруга сток-джерело 100В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat