IR2112SPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2112SPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Корпус SO16-W
Тип інтегральної мікросхеми driver
Кількість каналів 2
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Монтаж SMD
Топологія півмісток MOSFET
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -420...200мА
Час вимкнення 145нс
Час ввімкнення 205нс
Потужність 1,25Вт
Напруга живлення 10...20В DC
клас напруги 600В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat