IR2112PBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2112PBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус DIP14
Вихідний струм -420...200мА
Кількість каналів 2
Монтаж THT
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
Напруга живлення 10...20В DC
Час вимкнення 145нс
Час ввімкнення 205нс
Потужність 1,6Вт
клас напруги 600В
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat