IR2101STRPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2101STRPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -270...130мА
Потужність 625мВт
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...20В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки cтрічка
ролик
клас напруги 600В
Час ввімкнення 160нс
Час вимкнення 150нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat