IR2011SPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2011SPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -1...1А
Потужність 625мВт
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...20В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
клас напруги 200В
Час ввімкнення 80нс
Час вимкнення 60нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat