IR2011SPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2011SPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -1...1А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
Час вимкнення 60нс
Час ввімкнення 80нс
Потужність 625мВт
Напруга живлення 10...20В DC
клас напруги 200В
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat