IR2011PBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2011PBF
Опис

IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Робоча температура -40...125°C
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Топологія півмісток MOSFET
Вихідний струм -1...1А
Час вимкнення 60нс
Час ввімкнення 80нс
Потужність 1Вт
Напруга живлення 10...20В DC
Кількість каналів 2
клас напруги 200В
Вид упаковки туба
Корпус DIP8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat