IR2010STRPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2010STRPBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO16
Вихідний струм -3...3А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки cтрічка
ролик
Напруга живлення 10...20В DC
Топологія півмісток MOSFET
Час вимкнення 65нс
Час ввімкнення 95нс
Потужність 1,25Вт
клас напруги 200В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat