IR2010SPBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2010SPBF
Опис

IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO16
Вихідний струм -3...3А
Потужність 1,25Вт
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...20В DC
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
зарядна помпа
мертвий час
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
клас напруги 200В
Час ввімкнення 95нс
Час вимкнення 65нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat