IR2010PBF - Драйвери MOSFET/IGBT

IR2010PBF
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус DIP14
Тип інтегральної мікросхеми driver
Властивості інтегральних мікросхем integrated bootstrap functionality
зарядна помпа
мертвий час
Монтаж THT
Робоча температура -40...125°C
Вихідний струм -3...3А
Час вимкнення 65нс
Час ввімкнення 95нс
Кількість каналів 2
Потужність 1,6Вт
Напруга живлення 10...20В DC
клас напруги 200В
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat