IPU80R1K4P7 - Транзистори з каналом N THT

IPU80R1K4P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; IPAK; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 2,7А
Потужність розсіювання 32Вт
Корпус IPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,4Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 10нКл
Модель ESD
Технологія CoolMOS™ P7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat