IPU80R1K2P7 - Транзистори з каналом N THT

IPU80R1K2P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; IPAK; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 11нКл
Опір в стані провідності 1,2Ом
Струм стока 3,1А
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 37Вт
Напруга сток-джерело 800В
Технологія CoolMOS™ P7
Модель ESD
Корпус IPAK
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat