IPU80R1K0CEBKMA1 - Транзистори з каналом N THT

IPU80R1K0CEBKMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; IPAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Технологія CoolMOS™ CE
Корпус IPAK
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,95Ом
Струм стока 5,7А
Потужність розсіювання 83Вт
Напруга сток-джерело 800В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat