IPS65R1K5CEAKMA1 - Транзистори з каналом N THT

IPS65R1K5CEAKMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; 28Вт; IPAK SL

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 650В
Струм стока 3,1А
Потужність розсіювання 28Вт
Корпус IPAK SL
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,5Ом
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat