IPP60R022S7XKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP60R022S7XKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; польовий; 600В; 23А; Idm: 375А

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 23А
Струм стоку в імпульсі 375А
Потужність розсіювання 390Вт
Корпус TO220
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 47мОм
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™ S7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat