IPP200N25N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP200N25N3GXKSA1
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 64А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус PG-TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 20мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat