IPP114N12N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP114N12N3GXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 75А; 136Вт; PG-TO220-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 120В
Струм стока 75А
Потужність розсіювання 136Вт
Корпус PG-TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11,4мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat