IPP057N06N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP057N06N3GXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO220-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Технологія OptiMOS™ 3
Корпус PG-TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5,7мОм
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 115Вт
Напруга сток-джерело 60В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat