IPP048N12N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP048N12N3GXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO220-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус PG-TO220-3
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Опір в стані провідності 4,8мОм
Струм стока 120А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 120В
Потужність розсіювання 300Вт
Технологія OptiMOS™ 3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat