IPN50R950CE - Транзистори з каналом N SMD

IPN50R950CE
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ CE
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 500В
Струм стока 4,2А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус PG-SOT223
Опір в стані провідності 0,95Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 10,5нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat