IPN50R800CE - Транзистори з каналом N SMD

IPN50R800CE
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 500В
Струм стока 4,8А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус PG-SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,8Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™ CE
Заряд затвора 12,4нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat