IPL65R1K5C6SATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPL65R1K5C6SATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 650В
Струм стока
Потужність розсіювання 26,6Вт
Корпус PG-VSON-4
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,5Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat