IPD80R1K2P7 - Транзистори з каналом N SMD

IPD80R1K2P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Модель ESD
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус PG-TO252-3
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 11нКл
Опір в стані провідності 1,2Ом
Потужність розсіювання 37Вт
Струм стока 3,1А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 800В
Технологія CoolMOS™ P7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat