IPD80R1K2P7 - Транзистори з каналом N SMD

IPD80R1K2P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ P7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 3,1А
Потужність розсіювання 37Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,2Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 11нКл
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat