IPD70R900P7S - Транзистори з каналом N SMD

IPD70R900P7S
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 700В
Струм стока 3,5А
Потужність розсіювання 30,5Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 0,9Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat