IPD70R1K4P7S - Транзистори з каналом N SMD

IPD70R1K4P7S
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 700В
Струм стока 2,5А
Потужність розсіювання 22,7Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 1,4Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat