IPD12CN10NGATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD12CN10NGATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 67А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12,4мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ 2
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat