IPD075N03LGATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD075N03LGATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 35А
Потужність розсіювання 47Вт
Корпус PG-TO252-3
Опір в стані провідності 7,5мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat