IPD034N06N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD034N06N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж SMD
Корпус PG-TO252-3
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,4мОм
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 167Вт
Напруга сток-джерело 60В
Технологія OptiMOS™ 3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat