IPD031N06L3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD031N06L3GATMA1
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 167Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,1мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat