IPD025N06NATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD025N06NATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 90А
Потужність розсіювання 167Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,5мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat