IPB60R180C7 - Транзистори з каналом N SMD

IPB60R180C7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока
Потужність розсіювання 68Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,18Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 24нКл
Технологія CoolMOS™ C7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat