IPB107N20NAATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB107N20NAATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус PG-TO263-3
Монтаж SMD
Поляризація польовий
Опір в стані провідності 10,7мОм
Тип транзистора N-MOSFET
Струм стока 88А
Потужність розсіювання 300Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 200В
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ 3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat