IPB042N10N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB042N10N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 214Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,2мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat