IPB037N06N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB037N06N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 90А
Потужність розсіювання 188Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,7мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat