IPB030N08N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB030N08N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус PG-TO263-7
Монтаж SMD
Опір в стані провідності 3мОм
Струм стока 160А
Потужність розсіювання 214Вт
Напруга сток-джерело 80В
Технологія OptiMOS™ 3
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat