IPB025N08N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB025N08N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,5мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ 3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat