IPB017N08N5ATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB017N08N5ATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 5
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 375Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,7мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat