IPB015N08N5ATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB015N08N5ATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 180А
Потужність розсіювання 375Вт
Корпус PG-TO263-7
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,5мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ 5
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat