IPAN70R750P7S - Транзистори з каналом N THT

IPAN70R750P7S
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ P7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 700В
Струм стока
Потужність розсіювання 20,8Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 0,75Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 8,3нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat